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LED显示屏需求强劲 LED上游企业不停扩产

作者:上海财盈电子有限公司   文章来源:上海财盈电子有限公司   时间:2014-12-26

  随着近几日LED行业涨价消息的爆出,似乎可以看出2017年LED显示屏行业涨价已成为了定局。即使,各大企业都在纷纷扩产,但并不见任何降价的消息传出,扩产的是那些龙头企业,带头要涨价的亦是那些龙头企业……2017年LED显示屏还有没有降价的可能?就目前行业的形势来看,短期内仍以涨价为主。

  商家:曾经有一款优惠的LED显示屏放在我面前,我舍得掏钱买,如今我错过最佳的时机才后悔莫及。如果上天能够给我一个再来一次的机会,我会对那个LED显示屏厂家说:现付,请尽快出货!

  厂家:然而没有世上没有如果……

  如今,LED显示屏行业全线涨价已成为了一个既定的事实,2017年LED产品价格仍“水涨船高”。

  2017年LED芯片将处于供不应求状态

  根据相关机构测算,到2017年年底,LED芯片有效产能约8328万片,需求约9235万片。其中,照明芯片需求4704万片,同比增长20%;户外全彩显示屏需求2602万片,同比增长5%;户内小间距需求102万片,同比增长50%;手机背光需求139万片,平板电脑背光需求44万片,电脑及电视机背光需求699万片,汽车灯具需求106万片。鉴于LED芯片产能仍低于需求,且2017年需求稳定增长,LED芯片将处于供不应求的状态。

  业内人士表示,由于此前厂商对需求预测过于保守,从而造成产能准备不足;同时,智能化产品拓展迅速,对芯片屏幕等产品的需求大幅增加。这些因素叠加,使得供需矛盾加剧。随着LED行业供需关系的变化,LED行业近期内出现产品密集涨价事件也是情有可原了。

  2017年LED显示屏上游企业持续扩充产能

  由于市场规模的扩大,即使在去年已经涨价的基础上,需求端仍旧旺盛,在这样的形势下,2017年LED显示屏上游企业也是在持续扩充产能。

  LED封装龙头厂木林森2017年产能目标将扩大至1,000亿~1,500亿颗,且扩产重心聚焦于小间距显示屏应用,占新增产能约60~70%,另外40%新增产能则用在LED照明需求。国星光电亦陆续启动LED封装扩产计划,LED厂晶台则推动二期专案的扩产建设,随着大陆LED封装厂加速扩产,且产品以2020或1010等中高端规格为主,加上价格具有竞争力,将持续扩大市占版图。

  台系LED封装大厂亿光过去曾位居全球小间距显示屏应用最大供应商,近年来市占版图虽然缩小,但主力产品拉高至0808或1010等规格,苗栗新厂落成启用后,新产能亦将集中于利基型产品,包含小间距显示屏、车用及不可见光等应用。

  另外,除LED封装企业外,中国的LED外延晶圆和芯片制造商三安光电,华灿光电等产业链上游企业也在扩大生产能力。预计到2017年,中国LED外延晶圆和芯片制造商将拥有230多台MOCVD设备,其LED芯片产能占全球总产量的50%以上。

  企业毛利仍旧偏低,仍有上涨的空间

  虽然,在过去的2016年里,LED上游已经历了几轮涨价,但是在目前价格水平下,仅有一线LED 芯片厂商进入盈利状态,二线芯片企业依然在盈亏平衡线以下,产能扩张的动力依然不足,未来LED价格仍有进一步小幅上涨的空间。

  作为大陆芯片龙头企业,三安光电的毛利率其实已经高于行业平均水平。“三安光电芯片业务2016年的毛利率大概在30%左右,是行业里是最高的。”集邦咨询深圳产业研究中心总监王飞表示。但他认为尽管三安光电的毛利率做到了国内最高,但这才是行业应有的正常毛利率,“芯片是重资产行业,不仅设备价格昂贵,而且需要持续投入来保证研发和生产,30%的毛利率只是行业非常正常的毛利率,头两年竞争过于激烈,才把毛利率拉到了10%,2015年有的上市公司毛利率甚至是个位数。”因此,王飞认为三安光电的涨价实属正常,“低毛利率无法保证企业的正常发展。”

  由此可见,LED上游仍有涨价的空间。上游龙头企业通过涨价进行产业洗牌,即使能够成功淘汰一些落后的产能,但是在洗牌期间,价格暂时还是处于上涨阶段,而洗牌完成后,行业集中度加强,行业定价权也将集中,价格回归理性,至此价格是否还能下调至原来的低价位,或许就只能依靠技术的升级或是又一轮行业产能过剩的出现了。

  成本会转嫁至下游,LED屏涨价势头将延续

  顺应产业链传导的次序,处于产业链前端的LED芯片企业主要受原材料、人力成本、制造费用的影响;封装环节成本有45%来自于上游芯片;下游以显示屏为例,来自封装环节的成本亦是大头。可见,这三大环节之间有着相互传导的作用,前端的成本会转嫁至下游。机构预计,由于受中游封装厂扩产减缓以及下游应用需求扩大等因素推动,未来LED涨价预期或将升温。

  另外,去年国外LED企业调整策略,关停产品线,产能过剩得以缓解,本土LED企业则通过海外并购,拓宽覆盖范围与技术实力。机构认为,在经历行业整合、产能出清后,LED行业在供需改善的推动下,涨价势头将延续。

  今年光伏扶贫项目将迎来新高潮

  2017年2月13日,“爱光伏一生一世?PAT2017光伏先进技术前沿峰会”在合肥召开。本次峰会汇集了众多光伏技术专家进行分享洞见,同时还针对行业发展现状及光伏未来发展前景进行进一步的探讨,以应对光伏新局势的到来,从而推动光伏产业技术革新。

  中国可再生能源学会光伏专委会秘书长吕芳在会上致辞并指出,尽管行业面临补贴下调,竞价上网,市场竞争激烈等诸多挑战,但是在“领跑者”、“分布式”、“光伏扶贫”等多驾“马车”的驱动下,国内光伏业还有许多的发展空间。2016年新增的8个“领跑者”项目,建设规模达5.5GW,各项目将在2017年930前完工。分布式新增装机量在去年达到了4GW,同比增长200%,2017年有望持续提速。同时,光伏扶贫项目计划,5.16GW的指标也将在今年迎来安装高潮。

  以下为吕芳秘书长的发言全文:

  非常荣幸在1314这样美好的日子,与这么多的权威专家、企业领导相约合肥,共同探讨光伏先进技术。在此,我谨代表中国可再生能源学会光伏专委会,对各位来宾的莅临表示最热烈的欢迎。

  回首刚刚过去的2016年,我国光伏行业的发展如沐春风,取得了值得骄傲的成绩。去年光伏发电新增装机容量34.54GW,累计装机容量77.42GW,新增和累计装机容量均保持全球第一。

  展望2017年,尽管行业面临补贴下调,竞价上网,市场竞争激烈等诸多挑战,但是在“领跑者”、“分布式”、“光伏扶贫”等多驾“马车”的驱动下,国内光伏业还有许多的发展空间。2016年新增的8个“领跑者”项目,建设规模达5.5GW,各项目将在2017年930前完工。分布式新增装机量在去年达到了4GW,同比增长200%,2017年有望持续提速。同时,光伏扶贫项目计划,5.16GW的指标也将在今年迎来安装高潮。

  除了光伏单项技术市场和产业保持成长空间的同时,大家还关注到2017年中国绿证交易在经历十多年的酝酿之后有望试跑、电改进一步深化、微电网和多能互补综合应用等集成技术创新和示范启动探索高比例可再生实现路径,巴黎协定创新使命中国向世界承诺2020年前实现清洁能源研发投入倍增计划保障实现15%可再生能源比例。

  面对新一年的挑战与机遇,广大企业要牢牢把握住行业发展的主旋律,加大技术创新与产品研发力度,不断增强自身竞争力。同时,领跑企业也要继续发挥你们的标杆示范作用,为2017年我国光伏事业的发展带来新的“惊喜”。

  此次我们在“中国光伏应用第一城”—合肥举办此次盛会,是为了给大家提供一个交流学习的平台,让大家在这里分享先进的技术干货,探讨行业未来的发展趋势。同时,我们鼓励企业增强创新意识,助力我国光伏事业迈向新的高度。希望大家不虚此行,收获满满!

  上海财盈电子有限公司从事射频电源研发&第三方维修供应商,为太阳能光伏、半导体、液晶面板、镀膜行业研发和维修PVD、CVD、PECVD、MOCVD、ION IMP,PLASMA的设备电源,包括直流、高压、脉冲、射频、微波、匹配器、RPSC、CHILLER。

  台积电和力旺在12纳米制程上再度合作

  台积电针对16纳米FinFET制程开发进入第四代,统称为12纳米制程技术,力旺开始配合12纳米开发相关的NeoFuse IP,继16纳米精简版FinFET制程后,台积电和力旺在先进制程上再度合作。

  台积电16纳米制程经历16纳米FinFET、16FF+和16FFC三代技术,拿下苹果(Apple)、联发科、海思、赛灵思及NVIDIA等订单后,即将进入16纳米第四代制程技术,台积电也罕见地改变策略推出改版制程,也就是12纳米制程技术,吸引更多客户投单以提升12吋晶圆厂的产能利用率。

  随着台积电进入12纳米制程世代,非挥发性嵌入式eNVM IP供应商力旺也配合台积电的12纳米制程开发NeoFuse IP。力旺指出,12纳米FinFET制程是16纳米FinFET系列的第四代,与前几代相比,12纳米具备更低漏电特性和成本优势,力旺和台积电已经从16纳米FinFET第一代一路配合到最新的第四代制程,在每一代制程平台上都布建NeoFuse IP。

  此外,在16纳米精简版FinFET(16FFC)制程上,力旺也完成完成可靠度验证,且已有客户于产品中内嵌NeoFuse IP,并完成设计定案(Tape Out)。

  力旺指出,16FFC制程和16纳米强效型FinFET(16FF+)制程相比,具有更符合主流市场需求的成本和低功耗的优势,获得许多终端应用的青睐,包括智能手机、消费性电子、穿戴式装置等,同时,力旺的NeoFuse IP除了广泛地被客户使用在16纳米精简型FinFET制程中,其写入时的耐热度更提升至125度,也使得操作更有弹性,并且可支持更高端的应用。

  整体来看,力旺的NeoFuse IP在台积电的16纳米FinFET制程各世代的演进过程中,均率先完成可靠度验证,展现力旺在高端制程技术上的开发能力,以及与台积电的稳固技术伙伴关系。

  超越摩尔时代 封装厂的挑战与机遇

  近期封测行业热闹不断,安靠科技收购FANOUT技术领先厂商NANIUM与长电先进FO ECP产品出货破亿只。一个趋势是,由于先进封装制程带来的中段工艺,晶圆厂和封装厂有了更加紧密的联系,封装厂在超越摩尔时代的地位也会上升,将面临来自晶圆厂的挑战和新的机遇。

  先进封装是延续摩尔定律生命的关键,具有广阔市场空间。由于高温和电荷泄露,7nm已经接近物理极限,而28nm之后工艺进步的成本效益可能会消失,因此摩尔定律发展至今遇到阻碍,而通过SIP等先进封装技术变2D封装为3D封装,将多个芯片组合封装形成一个系统的方式成为延续摩尔定律的关键,在提升芯片电路密度的同时由于去PCB化维持了较高的性价比。

  根据Yole Develpopment,先进封装市场将在2020年时达到整体IC封装服务的44%,年营收约为315亿美元,约当12英寸晶圆数由2015年的0.25亿片增至2019年0.37亿片。中国先进封装市场规模在2016年将达到25亿美元,2020年预计市场规模将达46亿美元,复合年成长率达到16%;约当12英寸晶圆数CAGR则预计达到18%。

  先进封装占比的提升,提升了封测厂在产业链中的地位,也对封测厂提出了新的挑战。一方面,封测厂要积极应对上游晶圆厂在中道技术方面的布局,另一方面,通过SIP技术开辟模组新的市场。但不论技术走向如何,封测技术在超越摩尔时代起到作用将会大幅提升。

  封测厂的中道时代到来。由于先进封装要求在晶圆划片前融入封装工艺步骤,包括晶圆研磨薄化、重布线(RDL)、凸点制作及3DTSV 等制程,晶圆制造与封测前后道制程出现中道交叉区域,使得晶圆厂的技术布局逐渐向封测技术延伸。应用在苹果A10芯片上的InFO WLP技术就是由台积电独立研发生产,目前台积电的InFO技术在16nm FinFET上可以实现RF与Wi-Fi、AP与BB、GPU与网络芯片三种组合。我们认为这可能表明一种趋势,晶圆厂在加大封装中道制程的布局,由于晶圆厂在技术,资本的领先地位,并且存在大量已折旧完成的高精度设备(而封装厂商需要购买新的设备制程),以上都会对封装厂造成挑战,产业链有可能从专业化分工向IDM或者虚拟IDM加强合作转变(比如中芯国际入股长电科技)。

  SiP封装技术抢占模组厂利润带来新机遇。由于SIP集成不同工艺、技术、材料的芯片、MEMS等于一个系统,模组厂的利润空间未来可能会向上游封测厂商转移,带来封测厂商新的机会。

  因此,在先进封装大潮下,我们认为半导体产业链格局有望发生转变。中道制程的崛起为晶圆厂和封测厂开辟了一片新的空间,晶圆厂具有资本和设备优势,而封测厂技术积累雄厚,双方预计将展开新的博弈,未来虚拟IDM起到的作用将会加大,晶圆和封测的上下游产业链合作将会加深。而系统集成趋势为封测厂商向下游扩展提供了空间。但无论技术走向如何,封测环节不再处于从属地位,重要性会大大增加。而我国由于劳动力优势,封测行业发展相对较快,技术积累相对深厚,为国内公司布局先进封装带来了机会。

  光伏商用领域前景广阔 多部门拟出台光伏新政

  光伏绿色能源的中国力量已不仅是在光伏制造领域,更随着中国成为全球最大的光伏装机市场,培育出了具备国际竞争优势的光伏绿色电力综合服务商。

  光伏商用领域前景广阔:

  杭州湾地区年平均日照时数1710小时至2100小时,太阳能资源丰富,位于该区的上海大众汽车宁波分公司光伏车棚一体化分布式光伏电站,是目前全球最大的光伏建筑一体化项目。

  日前,记者走访了上海大众汽车园区,看到园内的成品车停车场上搭建了大面积的光伏车棚。“光伏车棚下可停放车辆1万多辆,实现棚顶发电,棚内为成品车遮阳挡雨,并兼具防冰雹等功能。”宁波安悦节能技术有限公司副总经理范剑军介绍,该项目采用可调式结构光伏车棚,自动选择最佳受光点,使发电效率提升10%以上。同时,在监测、运维等系统中充分运用互联网技术进行数据分析。

  据悉,该项目占地面积约20万平方米,整体装机容量20兆瓦,自投运一年以来,整体运行情况良好,去年发电2227万千瓦时,超额完成发电量。“自发自用”余电并入电网,每年可以生产绿色电力2200万千瓦时,发电后每年可节约标煤约6600吨,减少二氧化碳排放量17000吨。

  来自国网宁波供电公司的数据显示,2016年我市累计受理10千伏分布式光伏项目接入申请81个,发电容量为23.3万兆瓦,完成并网30个,发电容量为9.6万兆瓦,结算发电电量3801.6万千瓦时。

  多部门拟出台光伏系列新政

  记者16日从光伏行业2016年发展回顾与2017年形势展望研讨会上了解到,2017年中国光伏市场将呈现先紧后松态势,预计新增装机20-30GW。国家能源局、工信部等多部门将出台技术创新、产业体系等方面的新政,其中最为关键的是将全面实行竞争性项目分配,优先支持分布式。

  中国光伏行业协会数据显示,2016年,我国多晶硅产量约19.4万吨,同比增长17.6%,全年太阳能级多晶硅进口量约13.6万吨(含硅锭);部分企业成本已降至70元/kg以下;新建5000吨级电子级多晶硅工厂,高品质产品已在半导体领域批量应用。硅片方面,2016年产量超过63GW,同比增长11%以上,每片加工成本下降至1.4元以下。而光伏新增装机容量达到34.54GW,连续4年位居全球第一,其中地面电站30.3GW,分布式电站4.24GW。

  “光伏市场发生布局、结构双转换。市场格局从西北部渐渐向中东部等地区转换:2016年西北地区新增装机9.74GW,占全国的28%;中东部9个省份新增装机破1GW。市场结构从地面电站向分布式倾斜:分布式光伏新增装机较2015年增长200%,2016年8月以后,分布式每月并网量占比都在50%左右。”中国光伏行业协会秘书长王勃华分析称,2016年是光伏企业近几年盈利最好的一年。

  中国光伏行业协会预测,2017年全球光伏市场仍将保持增长势头,其中中国市场启动将呈现先紧后松态势,前三季度紧,四季度较松,在普通项目(12.6GW)、领跑技术基地(5.5GW)、光伏扶贫(4.81GW)、增补指标(10GW以上)、分布式光伏等多因素驱动下,新增装机容量约为20-30GW。而水电水利规划设计总院研究员秦潇则预计,2017年上半年新增规模将会超过10GW。

  对此,国家能源局新能源司副调研员邢翼腾指出,对规模指标不需要特别关注和敏感,“十三五”规划中的1.05亿千瓦装机目标并不是一个约束性指标,相反应该是一个下限。2017年以及整个“十三五”期间光伏最主要的任务是推动技术进步,降低成本,扩大多元化应用。

  在这一思路之下,2017年光伏行业的关键词是全面竞价和优先分布式。

  据2016-2021年中国太阳能光伏工程行业发展分析及投资潜力研究报告介绍,2016年八个领跑者基地采用竞价上网模式公开招标,平均每个项目比当地光伏标杆上网电价降了2毛钱,预计节省补贴15亿元。同时还有展现光伏的竞争力、倒逼技术进步、杜绝倒卖现象等诸多利好。“实行竞价是必然选择。”邢翼腾表示,2017年将全面实行竞争性项目分配,全面建设标准检测评价体系。

  工业和信息化部电子信息司处长王威伟也透露,下一步将对光伏制造企业进行抽查,看是否符合相关准入要求。同时,将在光伏行业智能制造方面下力气,通过一些项目来支持企业技术研发。此外,在园区中大力推动光伏应用,新型工业化产业示范基地要求非水可再生能源用电量不低于1%。

  如此态势下,王勃华认为,价格下降将成为主旋律,近期已有大企业以2.9元/瓦的价格成交。成本将快速下降,多家企业预计今年可下降至0.3美元/瓦以下,关键在于金刚线切硅片+黑硅制绒能否规模化应用。

  政策的另一个重要导向便是优先支持分布式尤其是屋顶分布式的发展。邢翼腾透露,初步考虑只有建设用地上的分布式项目才算真正屋顶分布式,还要对屋顶分布式电压等级、容量等级进行规范,结合电力市场改革推动屋顶分布式就近交易。此外,重点支持领跑者基地建设,开发光伏扶贫项目,优先支持300KW以下村级电站。

  这一思路也体现在金融政策上。国家开发银行评审一局处长刘宏波介绍,该行2017年金融扶持的重要领域是分布式光伏及“光伏+”应用、光伏领跑者示范基地、光伏扶贫、光伏发电走出去、系能源微电网、多能互补等。

  华虹半导体第三代Super Junction技术研发取得阶段性成果

  华虹半导体1月23日宣布,公司已完成第三代Super Junction(超级结结构)MOSFET(SJNFET)工艺平台的第一阶段研发,取得了初步成果,并计划在2017年上半年逐步推向市场。

  华虹半导体是全球领先的功率分立器件200mm代工厂,在功率器件产品稳定量产上拥有逾10年的经验。公司于2010年突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题,推出了独特的、富有竞争力的沟槽型SJNFET工艺平台,令华虹半导体成为业界首家提供超级结工艺平台的晶圆代工公司。经过多年的深耕发展,公司在Super Junction技术领域积累了丰富的研发和生产经验,相继推出了第一代、第二代工艺平台,并紧跟业界超级结产品的发展,持续进行平台的创新升级。

  华虹半导体最新研发的第三代SJNFET技术平台不仅保持了前几代工艺流程紧凑的特点,而且还开发出了沟槽栅的新型结构,相比前两代的平面栅结构,可以更有效地降低结电阻,且进一步缩小了元胞(cell pitch)面积。导通电阻与第二代工艺相比,更是下降了30%以上,以600V器件为例,单位面积导通电阻Rsp实测值为1.2ohm.mm2,达到业界一流水平。第三代SJNFET工艺平台将为客户提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。

  功率半导体是开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车和智能电网等电源系统的核心器件,也是降低功耗、提高效率的关键。在人们对高效节能越来越重视的现今,绿色能源技术必将得到更广泛的应用,功率半导体的需求也将持续提升。Super Junction技术凭借更低的功耗,高度契合当前热门的大功率快充电源、LED照明电源需求,其在传统的PC电源及云服务器电源也有优异的表现。

  华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“在独特且具竞争力的超级结MOSFET累计出货量超过200,000片晶圆基础上,华虹半导体新一代SJNFET工艺平台的推出,将进一步巩固公司在功率分立器件领域的领先地位。我们将尽快实现第三代SJNFET工艺平台的商用,以满足客户对更具竞争力的高压功率芯片产品解决方案的需求。”


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