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中国12寸晶圆厂产能持续扩张

作者:上海财盈电子有限公司   文章来源:上海财盈电子有限公司   时间:2015-01-22

  中国四大主要集成电路产业聚落持续扩大对晶圆厂的投资布局,预估新厂产能将于2018年底陆续开出。

  拓墣产业研究院认为,2018年底中国厂商的12寸晶圆每月总产能将达36.2万片,为现有产能的1.8倍,届时中国厂商产能占全球12寸晶圆产能比重将上升至6.3%。

  在非存储器(晶圆代工/IDM) 12寸晶圆产能部分,主要有4家中国厂释出新增产能的讯息。

  (1)中芯于上海规划新增月产能7万片的14~7nm产能,深圳新增4万片的65~55nm产能。

  (2)华力微于上海规划新增4万片的28~14nm产能。

  (3)德科玛在淮安规划2万片CIS产能。

  (4)紫光规划于成都兴建12寸厂。

  由于自28nm制程开始,晶圆厂须采用难度较高的多重曝光技术(Multiple Patterning),是先进制程的基础,连带牵动先进制程(28nm以下)的发展进度,2016年底中芯28nm营收占比仅有3.5%,显示其制程良率的控制能力稳定性仍不足,将影响28nm以下制程进度,2018年底中芯14nm很可能处于试产状态。

  而华力微新厂于2016年底动土,因此即使发展顺利,也要2018下半年才有机会进入试产。而紫光虽释出兴建12寸厂讯息,但未有详细动工时间,估计2018年尚不会有产能释出。

  因此2018年中国企业规划的新增产能将可能难以达成,预期下修至7.2万片,其中中国厂商的先进制程(28nm含以下)产能约1.2万片,占新增产能近17%,估计2018年中国自主非存储器产能将占全球非存储器产能比重约6.7%。

  存储器部分,共计4座新厂进行投产。

  (1)晋华以25nm制程为目标规划12万片DRAM产能。

  (2)长鑫科技于合肥规划月产能达12.5万片存储器芯片产能。

  (3)长江存储于武汉规划新建3D NAND晶圆厂,预计于2020年达到月产能30万片。

  (4)紫光则释出将于南京建立月产能10万片的晶圆厂,主要生产存储器芯片。

  从晶圆厂动土到进行试产一般约18个月,实际量产时间则是各企业的技术能力及量产经验而定,除了紫光尚未释出实际建厂进度外,晋华于2016年底开始动土,2018下半年才有机会进行试产,此外25nm需用双重曝光技术(Double Patterning)及浸润式曝光机(ArF-immersion),制程难度大幅提升,将影响实际产能开出的进度。

  而长鑫的新厂动土时间规划于2017下半年开始,估计2018年底尚不会有产能开出。

  长江存储则正规划发展32层垂直堆叠的3D-NAND,预计2018年底将可问世,预计总产能将达到约5万片。

  因此2018年中国厂商规划的新增产能或将难以达成,预期下修至9万片,估计2018年中国自主存储器产能将占全球存储器产能比重约4.4%。

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