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IBM正式宣布5nm芯片制造工艺

作者:上海财盈电子有限公司   文章来源:上海财盈电子有限公司   时间:2015-01-22

  日前,IBM联合三星宣布了一项名为nanosheets的晶体管制造技术。该技术抛弃了标准的FinFET架构,采用全新的四层堆叠纳米材料。这项技术为研发5nm芯片奠定了基础。IBM表示,借助该项技术,芯片制造商可以在指甲盖大小的芯片面积里,塞下将近300亿个晶体管。要知道,高通不久前发布的采用10nm工艺的旗舰芯片骁龙835,也才不过集成了30亿个晶体管。

  5nm芯片将采用与7nm芯片相同的紫外线光刻技术。不过与现有技术相比,新一代工艺的光波能量将高出许多,同时还支持在制造过程中持续调节芯片的功耗和性能。

  IBM表示,相比目前最先进的10nm芯片,5nm 原型芯片在额定功率下的性能可提升40%,或在同等性能下降低高达75%的能耗,而且成本更加低廉。

  不过鉴于10nm工艺也才刚刚投入商用不久,7nm芯片则要等到2019年,5nm工艺仍然需要漫长的等待。


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